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[判断题]

采用PNP和NPN型晶体管集电极跟随器构成的H桥电路,在PNP和NPN型晶体管集电极上接负载,构成电压跟随器。()

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第1题
三线接近开关两线接电源,一线输出其分别为NPN型(输出低电平)和PNP型(输出高电平)两种()
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第2题
工作在某放大电路中的一个晶体三极管,若测得它的三个电极的直流电位为:UB =3.6V、UE =2.9V、UC =12V,据此可判断该管为()。

A.PNP 型 Ge 管

B.PNP 型 Si 管

C.NPN 型 Si 管

D.NPN 型 Ge 管

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第3题
双极型晶体管的发射极和集电极是等效的,使用时可以互换不会影响晶体管的放大作用。()
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第4题
以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了在基区中的运动,该载流子做运动。()

A.电子,扩散

B.电子,漂移

C.电子,漂移和扩散

D.空穴,漂移

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第5题
在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中,若输入电压为正弦波,输出波形的底部被削平,则这种失真是()失真。

A.幅度

B.相位

C.截止

D.饱和

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第6题
下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率()。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第7题
以npn晶体管为例,ic与inc相比,相位___,幅度___。

A.超前,增大

B.超前,减小

C.滞后,增大

D.滞后,减小

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第8题
若晶体管使用频率非常高,必须考虑管壳的寄生参量,特别是()。

A.发射极引线电感

B.集电极引线电感

C.发射极电容

D.集电极电容

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第9题
图示电路中,已知UCC=12V,RC=2k Omega ,RE=2k Omega, RB=300k Omega,晶体管放大倍数beta =50, rbe=1k Omega。 电路有两个输出端,当从集电极取输出时,电压放大倍数Au1为(),当从发射极取输出时电压放大倍数Au2大致为()(..

图示电路中,已知UCC=12V,RC=2k Omega ,RE=2k Omega, RB=300k Omega,晶体管放大倍数beta =50, rbe=1k Omega。 电路有两个输出端,当从集电极取输出时,电压放大倍数Au1为(),当从发射极取输出时电压放大倍数Au2大致为()(结果可四舍五入保留整数即可)。

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第10题
设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问vB在什么变化范围内,使T工作在放大区?令β=100。

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第11题
3DG6三极管的制作材料、类型粉笔是()。

A.硅

B.NPN型

C.锗

D.PBP型

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