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[主观题]

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：(1)Q点;(2)输入电阻R_i;(3)电压增益A_es

电路如图题5.5.3所示，设β=100，R_si=2千欧，试求：（1)Q点;（2)输入电阻R_i;（3)电压增益A_{es1=v₀₁/v_N和A_es2=v₀₂/v_N;(4)输出电阻R₀₁和R₀₂。}

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更多“电路如图题5.5.3所示，设β=100，Rsi=2千欧，试求…”相关的问题

第1题

设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问v_B在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。

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第2题

输出电压的扩展电路如图题11.2.4所示。设V₃₂=V_xx ，试证明：

输出电压的扩展电路如图题11.2.4所示。设V₃₂=V_xx，试证明：

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第3题

设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路，图中V_CC=15V，R_e=1.5千欧，i

n=20μA，求该器件的Q点。

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第4题

电路如图题4.4.2(主教材图4.4.8)所示。设电流源电流I=0.5mA，V_DD=V_SS=5V，R_d=9千欧，

电路如图题4.4.2（主教材图4.4.8)所示。设电流源电流I=0.5mA，V_DD=V_SS=5V，R_d=9千欧，

C_s很大，对信号可视为短路。场效应管的V_TS=0.8V，K_N=1mA/V，输出电阻r_ds=∞。试求电路的小信号电压增益A_F。

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第5题

电路如图题4.5.1(主教材4.5.1a)所示，设电路参数为V_DD=12V，R_g1=150千欧，R_g2=450千

电路如图题4.5.1（主教材4.5.1a)所示，设电路参数为V_DD=12V，R_g1=150千欧，R_g2=450千

欧，R_m=1千欧，R_xi=10千欧。场效应管参数为V_TS=1.5V，K_n=2mA/V₂，λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益A_p和源电压增益A_ex;(3)输入电阻R_i和输出电阻R₀。

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第6题

桥式功率放大电路如图题9.6.3所示。设图中参数R₁=R₃=10千欧，R₂=15千欧，R₄=25千

欧和R_L=1.2千欧，v_i为正弦波，放大器A₁、A₂的工作电源为±15V，每个放大器的输出电压峰值限制在13V。试求：(1)A₁，A₂的电压增益(2)负载R_L能得到的最大功率;(3)输入电压的峰值。

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第7题

集成施密特触发器和4位同步二进制加法器74LVC161组成的电路如图题9.2.4所示。(1)分别说明图中两

集成施密特触发器和4位同步二进制加法器74LVC161组成的电路如图题9.2.4所示。（1)分别说明图中两

集成施密特触发器和4位同步二进制加法器74LVC161组成的电路如图题9.2.4所示。

(1)分别说明图中两部分电路的功能;

(2)画出图中74LVC161组成的电路的状态图;

(3)画出图中v_a、v_b和v₀的对应波形。

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第8题

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计该电路.

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第9题

一高输入电阻的桥式放大电路如图题2.4.2所示，(1)试写出v₀=f(δ)的表达式(δ=ΔR/R);(2)当v₁

一高输入电阻的桥式放大电路如图题2.4.2所示，（1)试写出v₀=f（δ)的表达式（δ=ΔR/R);（2)当v_{1=7.5V，δ=0.01时，求v_A、v_B、v_AB和v₀。}

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第10题

两级功放原理电路如图NP1-17所示。试：(1)简述电路工作原理;(2)已知V_CC-V_EF|，各管V_BE

两级功放原理电路如图NP1-17所示。试：（1)简述电路工作原理;（2)已知V_CC-V_EF|，各管V_{BE(on)相等，设各管基极电流不计，求l_CQS(I_CQS)及k_ii表达式。}

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第11题

比例式电流源电路如图LP4-49所示,已知各晶体管特性一致,Υ_BE(on)=0.7Υ,β=100,|V_A|=120Υ

比例式电流源电路如图LP4-49所示,已知各晶体管特性一致,Υ_BE（on)=0.7Υ,β=100,|V_A|=120Υ

,试求I_C1、I_C3和T₃侧的输出交流电阻R_s3.

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