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[单选题]

圆弧插补段程序中,若采用半径R编程时,从始点到终点存在两条圆弧,用-R表示圆弧半径时()

A.圆弧小于或等于180°

B.圆弧大于或等于180°

C.圆弧小于180°

D.圆弧大于180°

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C、圆弧小于180°

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第1题
程序段:G91G02X0Y0R10.;是正确的描述顺时针圆弧插补的语句。()
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第2题
如图4-15所示,摇杆AB在一定范围内以θ=ωt绕A轴转动,其中ω=π/10rad/s,销钉M在固定的圆弧形滑道中
滑动,同时又在摇杆的直线槽中滑动。若固定圆弧半径R=10cm,试求销钉M的速度和加速度。

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第3题
数据采样插补其运算是采用()思想,根据编程的进给速度将轮廓曲线分割为每个插补周期的进给直线段,以此来逼近轮廓曲线。

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第4题
真空中一个半径为R、均匀带电的半个圆弧,带有正电荷q。求:(1)圆心处的场强;(2)圆心处的电势。

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第5题
在XOY平面内的刀具半径补偿执行的程序段中,两段连续程序为()不会产生过切。

A.N60G01X60.Y20.;N70Z-3

B.N60G01Z-3.;N70M03S800

C.N60G00S800;N70G01Z-3

D.N60M03S800;N70M08

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第6题
进给下刀位置指刀具从快速进给改变为插补速率进入工件中以前的位置。()
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第7题
电荷以体密度p=p(1-r/R)分布在半径为R的球内,其中为常量,r为球内某点与球心的距离。求:(1)球内

电荷以体密度p=p(1-r/R)分布在半径为R的球内,其中为常量,r为球内某点与球心的距离。求:

(1)球内外的场强(以r代表从球到场点的矢量)。

(2)r为多大时场强最大?该点场强Emax=?

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第8题
图10-26均质圆盘质量为m,半径为R,所受约束如题10-26图(a)所示。若突然撒去A处的约束,试求该瞬时

图10-26均质圆盘质量为m,半径为R,所受约束如题10-26图(a)所示。若突然撒去A处的约束,试求该瞬时O处的约束力。

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第9题
内部RAM从DATA1和DATA2单元开始处存放着两个等长的数据块,数据块的长度在LEN单元中。请编程检查这两个数据块是否相等,若相等,将0FFH写入RESULT单元,否则将0写入RESULT单元。

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第10题
编程在MDI方式中不能进行半径补偿。()
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第11题
真空中两个均匀带电同心球面,内球面半径为0.2m,所带电量为-3.34x10-7C; 外球面半径为0.4m, 所带电量为5.56x10-7C.设r是从待求场强的点到球心的距离。求:(1)r=0.1m; (2)r=0.3m: (3)r=0.5m处的场强。

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