题目内容
（请给出正确答案）
A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系
B.对于 n 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
C.对于 p 型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
D.对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
E.对于p 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
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①在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3，试求锗的载流子有效质量mn+，mp+计算77K时的NC和NV。已知300K时，Eg=0. 67eV。77k时Eg=0. 76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而EC-ED=0. 01eV，求锗中施主浓度ED多少？
A.化学反应中都伴随有热量的交换
B.化学反应热效应只与反应的始态和终态有关，与反应途径无关
C.化学反应中的反应热是用焓变来表示的
D.如果化合物的生成热较低，则该化合物较稳定
写出图3.5(a)中各个触发器的次态方程,并按照所给的CLK信号,画出各个触发器的输出波形(设初始态为0).
设
是来自正态总体N(0,22)的简单随机样本,已知
服从X2(n)分布,其中a,b为常数,则n=____.
设X1，X2，···，Xn是来自正态总体X~N(μ，σ2)的一个样本，适当选择常数C使
为σ2的无偏估计。
p2=50kPa.已知固态物质A的Cp,m=24.454J·mol-1·K-1.试求:
(1)系统的末态温度T2;
(2)以B为系统时,过程的W,Q,ΔU和ΔH.
试证明:处于Is，2p和3d态的氢原子的电子在离原子核的距离分别为
的球壳内被发现的几率最大(a0为第一玻尔轨道半径)。
