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[判断题]

采用NPN和PNP型晶体管射极跟随器构成的H桥电路,这种电路的上下桥臂会同时导通,不会发生短路事故。()

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第1题
在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中,若输入电压为正弦波,输出波形的底部被削平,则这种失真是()失真。

A.幅度

B.相位

C.截止

D.饱和

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第2题
三线接近开关两线接电源,一线输出其分别为NPN型(输出低电平)和PNP型(输出高电平)两种()
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第3题
工作在某放大电路中的一个晶体三极管,若测得它的三个电极的直流电位为:UB =3.6V、UE =2.9V、UC =12V,据此可判断该管为()。

A.PNP 型 Ge 管

B.PNP 型 Si 管

C.NPN 型 Si 管

D.NPN 型 Ge 管

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第4题
以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了在基区中的运动,该载流子做运动。()

A.电子,扩散

B.电子,漂移

C.电子,漂移和扩散

D.空穴,漂移

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第5题
下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率()。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第6题
双极型晶体管的发射极和集电极是等效的,使用时可以互换不会影响晶体管的放大作用。()
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第7题
以下各项中,不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是()。

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

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第8题
双极型晶体管大注入时,将引起基区电导()。

A.增加

B.减少

C.先增加后减少

D.不变

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第9题
双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()
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第10题
当发射结承受正向电压、集电结承受反向电压时,双极型晶体管的工作状态是()。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第11题
以npn晶体管为例,ic与inc相比,相位___,幅度___。

A.超前,增大

B.超前,减小

C.滞后,增大

D.滞后,减小

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