A.从送检样品中均匀抽取的1/4的叶片,迅速切成宽度不超过5mm的小片或丝状
B.混匀后用已知干燥重量的样品盒称取试样约5~10g,记下试样重量
C.去盖后放入温度100土2℃的烘箱内,自温度回升至100℃时算起,烘2h
D.加盖取出放入干燥器内,冷却至室温,再称重计算
A.从送检样品中均匀取两个平行试样,每个试祥约重 400~600g
B.称得试样重量,在油光纸上将烟把解开,用毛刷逐片正反两面各轻刷 5~8 次,刷净
C.搜集刷下的砂土,通过分离筛,至筛不下为止
D.将筛下的砂土称重,记录重量计算
A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D、在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取