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型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变，如果要使VCEQ=4V，问基极上偏流电阻Rb1为多大？
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165千欧，Rg2=35千欧，VTS=0.8V，Kn=1mA/V2， 场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0)，电路静态工作点处VGS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益Ar=v0/vi、源电压增益Ads=v0/ve、输入电阻Ri和输出电阻R0。
降模型分析电路，绘出输出电压v0的稳态波形。V0等于在vn中叠加了一个直流电压-Vc，也可以看作vo的顶部钳位在了0.7V直流电压上。
在图P7.11(a)所示电路中,已知输入电压u1的波形如图(b)所示,当t=0时uc=0.
试画出输出电压uo的波形.
,试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Rs3.
一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：
(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？
(2) 它的夹断电压Vp和饱和漏极电流IDSS各是多少？
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,
已知管子参数
设λ=0,试设计该电路.
电路处于稳态，求开关闭合后电感两端的电压uL(t)。
Cs很大，对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V，KN=1mA/V，输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF。
