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第3题
由于生成条件不同，球形C50分子可堆积成不同的晶体结构，如立方最密堆积和六方最密堆积结构。前
者的晶胞参数a=1420pm;后者的晶胞参数a=b=1002pm，c=1639pm。
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(1)画出C60的ccp结构沿四重轴方向的投影图;并用分数坐标示出分子间多面体空隙中心的位置(每类多面体空隙中心只写一组坐标即可)。
(2)在
的ccp和hcp结构中，各种多面体空隙理论上所能容纳的“小球"的最大半径是多少？
(3)C60分子还可形成非最密堆积结构，使某些碱金属离子填入多面体空隙，从而制得超导材料。在K3C60所形成的立方面心晶胞中，K+占据什么多面体空隙？占据空隙的百分数为多少？
第4题
关于直导体产生感应电动势的大小，下述正确的是（)。
A.运动方向与磁力线夹角为0°时，感应电动势为0
B.运动方向与磁力线夹角为90°时，感应电动势最大
C.运动速度越快，感应电动势越大
D.导体长度越长感应电动势越大
第6题
一个质点作简谐运动，振幅为A，在起始时刻质点的位移为-A/2，且向x轴正方向运动，代表此简谐运动的旋转矢量为( )
一个质点作简谐运动，振幅为A，在起始时刻质点的位移为-A/2，且向x轴正方向运动，代表此简谐运动的旋转矢量为（)
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A.
B.
C.
D.
第11题
质量为m的质点带有负电荷e，以速度v0进入强度按E=Asinkt（其中A与k均为已知常数)变化的均匀
质量为m的质点带有负电荷e，以速度v0进入强度按E=Asinkt(其中A与k均为已知常数)变化的均匀电场中，初速度v0的方向与电场强度的方向成θ角，如图6-1所示。质点在电场中受力F=-eE，不计重力影响，试求质点运动的轨迹。
