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图LT6-2所示电路,已知υs1=5mV、υs2=-5mV、υs3=6mV、υs4=-12mV,试求输出电压υ0值.设各集成运放是理想的.
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在图P7.11(a)所示电路中,已知输入电压u1的波形如图(b)所示,当t=0时uc=0.
试画出输出电压uo的波形.
2)若RE=0,RB2开路,指出电路工作模式.
图LT5-7所示为电流并联负反馈电路,已知RF1=750Ω,RF2=1.2kΩ,RS=1kΩ,R02=4kΩ,RL=1kΩ,Rf=10kΩ,设各电容对交流呈短路,RB1、RB2忽略不计,试在深度负反馈条件下,求
(1)最大输出功率Pom和效率ƞ各为多少？
(2)晶体管的最大功耗PTmax为多少？
(3)为了使输出功率达到Pom,输入电压的有效值约为多少？
图p9.2
(1)试分析电路为什么能够满足产生正弦波振荡的条件;
(2)求出电路的振荡频率;
(3)画出uo1和uo2的波形图,要求表示出它们的相位关系,并分别求出它们的峰值.
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,
已知管子参数
设λ=0,试设计该电路.
