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电路如图题5.3.5a所示，该电路的交、直流负载线绘于图题5.3.5b中，试求：(1)电源电压VCC，静态电流lBQ，ICQ和管压降VCEQ的值;(2)电阻Rb、Rc的值;(3)输出电压的最大不失真幅度;(4)要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？
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电路如图题6.4.5所示，其中VDD=5V，Rsi=2千欧，Rg1=60千欧，Rg2=40千欧，Rd=RL=5.1 千欧，MOS管参数为Kn=0.8mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgn=1pF，Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。
165千欧，Rg2=35千欧，VTS=0.8V，Kn=1mA/V2， 场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0)，电路静态工作点处VGS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益Ar=v0/vi、源电压增益Ads=v0/ve、输入电阻Ri和输出电阻R0。
Cs很大，对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V，KN=1mA/V，输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF。
型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变，如果要使VCEQ=4V，问基极上偏流电阻Rb1为多大？
降模型分析电路，绘出输出电压v0的稳态波形。V0等于在vn中叠加了一个直流电压-Vc，也可以看作vo的顶部钳位在了0.7V直流电压上。
已知某电路的幅频特性如图P5.4所示,试问:(1)该电路的耦合方式;(2)该电路由几级放大电路组成;(3)当f=104Hz时,附加相移为多少？当f=105Hz时,附加相移又约为多少？(4)该电路的上限频率fg为多少？
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,
已知管子参数
设λ=0,试设计该电路.
欧，Rm=1千欧，Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V，Kn=2mA/V2，λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0。
