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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，

如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。(提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习

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第1题

PN结外加P正N负的电压时，其正向导通。（)

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第2题

以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中，正确的是（)。

A.半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B.空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C.空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D.对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第3题

（)是三个PN结、四层结构的半导体器件

A.半导体二极管

B.半导体三极管

C.晶闸管

D.齐纳管

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第4题

室温时，P型半导体的霍耳系数为()。【填写“正”或“负”】

室温时，P型半导体的霍耳系数为（)。【填写“正”或“负”】

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第5题

对于恒定电场规则下的等比例缩小原理，假设VT可以等比例缩小K倍，pn结内建势可以忽略，下述描述错误的是（）。

A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍

B.沟道电阻不变

C.饱和区跨导缩小K倍

D.栅极总电容缩小K倍

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第6题

若要使PMOS开启，则栅源之间加（)电压，半导体表面能带（)，反型后形成（)沟道。

A.正，下弯，n型

B.负，上弯，n型

C.负，上弯，p型

D.负，下弯，p型

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第7题

用均数和标准差可以全面描述哪种资料的特征（）。

A.正偏态分布

B.负偏态分布

C.正态分布

D.对称分布

E.对数正态分布

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第8题

光电二极管PN结工作在反向偏置状态，在光的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升。（)

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第9题

如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是？（)

A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系

B.对于 n 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层

C.对于 p 型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层

D.对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层

E.对于p 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层

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第10题

已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为N_a=10¹⁶cm^-3,Nd=1.5X10¹⁷cm^-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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第11题

在静止元件和旋转元件中，正序、负序有什么关系？

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